FINANSIALFOKUS.COM — Nvidia CEO Jensen Huang memperkirakan China akan mampu memproduksi alat litografi canggih buatan sendiri dalam tiga sampai empat tahun ke depan. Klaim itu menempatkan ambisi kemandirian semikonduktor China sebagai ancaman nyata bagi dominasi ASML di pasar mesin pembuat cip global.
Jensen Huang menyampaikan proyeksi tersebut dalam wawancara dengan The All-In Podcast. Menurutnya, kemampuan China mengembangkan peralatan litografi kelas atas hanya soal waktu.
"Mereka akan sampai ke sana pada 2030," kata Huang. "2030 itu sudah di depan mata."
Klaim Huang vs Realitas Industri Litografi China
Huang dikenal optimistis menilai perkembangan teknologi China. Ia pernah menyebut industri AI negara itu berada "tepat di belakang" laboratorium frontier Amerika Serikat.
Namun untuk sektor litografi, optimisme Huang tampak terlalu jauh dari kenyataan. Produsen utama China, Shanghai Micro Electronics Equipment (SMEE), baru bisa memproduksi massal scanner ArF dry 193-nm untuk cip kelas 90nm.
SMEE dilaporkan telah mengembangkan scanner ArF immersion berkapasitas 28nm. Tapi tidak ada bukti publik bahwa sistem itu diproduksi dalam volume besar atau dipakai untuk produksi cip massal.
Jalan Panjang Menuju Paritas dengan ASML
Ada laporan bahwa Shanghai Aishengna Electronic Technology Group, afiliasi SMEE, telah mengirim scanner immersion pertamanya. Peralatan itu berpotensi mencetak cip berteknologi 28nm.
Meski demikian, alat tersebut masih butuh kualifikasi panjang sebelum layak dipakai produksi massal. Jika mengikuti jadwal standar industri, perlu waktu bertahun-tahun sebelum unit itu benar-benar difungsikan.
Kalaupun scanner pertama dikirim ke pabrik cip China pada 2026, penggunaan produksi luas sebelum 2028–2029 dinilai tidak mungkin. Menyamai kemampuan scanner immersion generasi awal ASML pun masih meninggalkan pemasok China jauh tertinggal.
Paritas teknologi di litografi ArF immersion pada 2030 sangat kecil kemungkinannya. China bahkan lebih tertinggal lagi di litografi ultraviolet ekstrem (EUV).
EUV Jadi Tembok Terbesar China
Ada laporan ilmuwan China berhasil mengembangkan sumber plasma laser yang bisa menghasilkan cahaya 13,5 nanometer untuk teknologi EUV. Tapi China tampak belum mendekati tahap merakit prototipe scanner EUV.
Scanner litografi produksi menuntut kemampuan luar biasa di wafer dan reticle stage, alignment, overlay, optik proyeksi, hingga metrologi. Jika China masih kesulitan mengindustrialisasi kemampuan itu untuk DUV immersion, sulit membayangkan mereka sudah mengatasinya di level EUV yang jauh lebih menantang.
Meski begitu, taruhan dalam perlombaan AI sangat besar. Pemerintah China juga bertekad mencapai kemandirian teknologi penuh. Bagi Huang, semua itu tetap hanya soal waktu.